據韓國媒體報道，全球領先的半導體設備制造商泛林集團（Lam Research）正在研發的新型選擇性刻蝕設備，因其在技術上的突破性潛力，被業界廣泛視為三星電子開發下一代存儲器的關鍵工具。隨著半導體工藝節點不斷微縮，傳統刻蝕技術面臨的挑戰日益嚴峻，特別是在3D NAND閃存和DRAM等先進存儲器制造中，對刻蝕精度、選擇性和三維結構控制的要求達到了前所未有的高度。
選擇性刻蝕技術能夠在復雜的三維堆疊結構中，精確地去除特定材料，同時最大限度地保護其他敏感層和結構。這對于構建更高層數、更小尺寸單元的3D NAND閃存至關重要。三星作為存儲器市場的領導者，其下一代產品（如預期中的300層以上3D NAND）需要更精密的制造工藝來控制電荷陷阱層、隧穿氧化層和溝道等關鍵結構。泛林集團在該領域的進展，可能為三星提供克服當前技術瓶頸、實現更高存儲密度和更低功耗的解決方案。
在DRAM領域，隨著工藝向10納米以下演進，電容器和晶體管的結構也日趨復雜。選擇性刻蝕技術有助于形成更精細、更均勻的深寬比結構，這對于維持DRAM單元的電荷存儲能力和穩定性至關重要。三星在下一代DRAM（如DDR6、LPDDR6及新興的CXL存儲器）的開發中，對能夠實現原子級精度和優異均勻性的刻蝕工藝需求迫切。
選擇性刻蝕技術對于整合新材料（如鐵電材料、相變材料等）也具有重要意義，這些材料可能是未來存儲器的變革性元素。泛林集團的設備若能在選擇性和工藝控制上實現突破，將極大地加速新材料從研發到量產的進程。
韓媒分析指出，三星與泛林集團在半導體設備領域長期保持著緊密的合作關系。此次技術開發若取得成功，不僅將鞏固三星在尖端存儲器市場的技術領先地位，還可能重塑全球半導體設備市場的競爭格局。目前，該技術的具體細節和商業化時間表尚未完全公開，但其潛在的行業影響力已引發高度關注。業界正密切關注泛林集團的研發進展以及三星可能的早期技術驗證與導入計劃。
